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RAM的基本知识


一、较新的RAM技术词汇

CDRAM-Cached DRAM——高速缓存存储器

CVRAM-Cached VRAM——高速缓存视频存储器

DRAM-Dynamic RAM——动态存储器

EDRAM-Enhanced DRAM——增强型动态存储器

EDO RAM-Extended Date Out RAM——外扩充数据模式存储器

EDO SRAM-Extended Date Out SRAM——外扩充数据模式静态存储器

EDO VRAM-Extended Date Out VRAM——外扩充数据模式视频存储器

FPM-Fast Page Mode——快速页模式

FRAM-Ferroelectric RAM——铁电体存储器

SDRAM-Synchronous DRAM——同步动态存储器

SRAM-Static RAM——静态存储器

SVRAM-Synchronous VRAM——同步视频存储器

3D RAM-3 DIMESION RAM——3维视频处理器专用存储器

VRAM-Video RAM——视频存储器

WRAM-Windows RAM——视频存储器(图形处理能力优于VRAM)

MDRAM-MultiBank DRAM——多槽动态存储器

SGRAM-Signal RAM——单口存储器

二、存储器有哪些主要技术指标

存储器是具有“记忆"功能的设备,它用具有两种稳定状态的物理器件来表示二进制数码“0"和“1",这种器件称为记忆元件或记忆单元。记忆元件可以是磁芯,半导体触发器、MOS电路或电容器等。位(bit)是二进制数的较基本单位,也是存储器存储信息的较小单位,8位二进制数称为一个字节(Byte),可以由一个字节或若干个字节组成一个字(Word)在PC机中一般认为1个或2个字节组成一个字。若干个忆记单元组成一个存储单元,大量的存储单元的集合组成一个存储体(MemoryBank)。为了区分存储体内的存储单元,必须将它们逐一进行编号,称为地址。地址与存储单元之间一一对应,且是存储单元的标志。应注意存储单元的地址和它里面存放的内容*是两回事。

根据存储器在计算机中处于不同的位置,可分为主存储器和辅助存储器。在主机内部,直接与CPU交换信息的存储器称主存储器或内存储器。在执行期间,程序的数据放在主存储器内。各个存储单元的内容可通过指令随机读写访问的存储器称为随机存取存储器(RAM)。另一种存储器叫只读存储器(ROM),里面存放一次性写入的程序或数据,仅能随机读出。RAM和ROM共同分享主存储器的地址空间。RAM中存取的数据掉电后就会丢失,而掉电后ROM中的数据可保持不变。因为结构、价格原因,主存储器的容量受限。为满足计算的需要而采用了大容量的辅助存储器或称外存储器,如磁盘、光盘等。存储器的特性由它的技术参数来描述。

存储容量:存储器可以容纳的二进制信息量称为存储容量。一般主存储器(内存)容量在几十K到几十M字节左右;辅助存储器(外存)在几百K到几千M字节。

存取周期:存储器的两个基本操作为读出与写入,是指将信息在存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔,称为取数时间TA;两次独立的存取操作之间所需的较短时间称为存储周期TMC。半导体存储器的存取周期一般为60ns-100ns。

存储器的可靠性:存储器的可靠性用平均故障间隔时间MTBF来衡量。MTBF可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。MTBF越长,表示可靠性越高,即保持正确工作能力越强。

性能价格比:性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容。性能价格比是一个综合性指标,对于不同的存储器有不同的要求。对于外存储器,要求容量极大,而对缓冲存储器则要求速度非常快,容量不一定大。因此性能/价格比是整个存储器系统很重要的指标。

三、SDARM能成为下一代内存的主流吗?

快页模式(FPM)DRAM的黄金时代已经过去。随着高效内存集成电路的出现和为优化Pentium芯片运行效能而设计的INTEL HX、VX等核心逻辑芯片组的支持,人们越来越倾向于采用扩展数据输出(EDO)DRAM。EDO DRAM采用一种特殊的内存读出电路控制逻辑,在读写一个地址单元时,同时启动下一个连续地址单元的读写周期。从而节省了重选地址的时间,使存储总线的速率提高到40MHz。也就是说,与快页内存相比,内存性能提高了将近15%~30%,而其制造成本与快页内存相近。但是EDO内存也只能辉煌一时,其称霸市场的时间将极为短暂。不久以后市场上主流CPU的主频将高达200MHz以上。为优化处理器运行效能,总线时钟频率至少要达到66MHz以上。多媒体应用程序以及Windows 95和Windows NT操作系统对内存的要求也越来越高,为缓解瓶颈,只有采用新的内存结构,以支持高速总线时钟频率,而不至于插入指令等待周期。这样,为适应下一代主流CPU的需要,在理论上速度可与CPU频率同步,与CPU共享一个时钟周期的同步DRAM(SYNCHRONOUS DRAMS)即SDRAM(注意和用作CACHE的SRAM区别,SRAM的全写是Static RAM即静态RAM,速度虽快,但成本高,不适合做主存)应运而生,与其它内存结构相比,性能\价格比较高,势必将成为内存发展的主流。

SDRAM基于双存储体结构,内含两个交错的存储阵列,当CPU从一个存储体或阵列访问数据的同时,另一个已准备好读写数据。通过两个存储阵列的紧密切换,读取效率得到成倍提高。去年推出的SDRAM较高速度可达100MHz,与中档Pentium同步,存储时间高达5~8ns,可将Pentium系统性能提高140%,与Pentium 100、133、166等每一档次只能提高性能百分之几十的CPU相比,换用SDRAM似乎是更明智的升级策略。在去年初许多DRAM生产厂家已开始上市4MB×4和2MB×8的16MB SDRAM内存条,但其成本较高。现在每一个内存生产厂家都在扩建SDRAM生产线。预计到今年底和1998年初,随着64M SDRAM内存条的大量上市,SDRAM将占据主导地位。其价格也将大幅下降。

但是SDRAM的发展仍有许多困难要加以克服,其中之一便是主板核心逻辑芯片组的限制。VX芯片组已开始支持168线SDRAM,但一般VX主板只有一条168线内存槽,较多可上32M SDRAM,而简洁高效的HX主板则不支持SDRAM。预计下一代Pentium主板芯片组TX将更好的支持SDRAM。Intel较新推出的下一代Pentium主板芯片组TX将更好的支持SDRAM。

SDRAM不仅可用作主存,在显示卡专用内存方面也有广泛应用。对显示卡来说,数据带宽越宽,同时处理的数据就越多,显示的信息就越多,显示质量也就越高。以前用一种可同时进行读写的双端口视频内存(VRAM)来提高带宽,但这种内存成本高,应用受很大限制。因此在一般显示卡上,廉价的DRAM和高效的EDO DRAM应用很广。但随着64位显示卡的上市,带宽已扩大到EDO DRAM所能达到的带宽的极限,要达到更高的1600×1200的分辨率,而又尽量降低成本,就只能采用频率达66MHz、高带宽的SDRAM了。SDRAM也将应用于共享内存结构(UMA)——一种集成主存和显示内存的结构。这种结构在很大程度上降低了系统成本,因为许多高性能显示卡价格高昂,就是因为其专用显示内存成本*,而UMA技术将利用主存作显示内存,不再需要增加专门显示内存,因而降低了成本

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提供低速高转矩输出和良好的动态特性,同时具备超强的过载能力,以满足广泛的应用场合。创新的BiCo(内部功能互联)功能有无可比拟的灵活性。主要特征:200V-240V±10%,单相/三相,交流,0.12kW-45kW;380V-480V±10%,三相,交流,0.37kW-250kW;矢量控制方式,可构成闭环矢量控制,闭环转矩控制;高过载能力,内置制动单元;三组参数切换功能。控制功能:线性v/f控制,平方v/f控制,可编程多点设定v/f控制,磁通电流控制免测速矢量控制,闭环矢量控制,闭环转矩控制,节能控制模式;标准参数结构,标准调试软件;数字量输入6个,模拟量输入2个,模拟量输出2个。


进行软件测试程序输入PLC后,应先进行测试工作。因为在程序设计过程中,难免会有疏漏的地方。因此在将PLC连接到现场设备上去之前,必需进行软件测试,以排除程序中的错误,同时也为整体调试打好基础,缩短整体调试的周期。应用系统整体调试在PLC软硬件设计和控制柜及现场施工完成后,就可以进行整个系统的联机调试,如果控制系统是由几个部分组成,则应先作局部调试,然后再进行整体调试;如果控制程序的步序较多,则可先进行分段调试,然后再连接起来总调。

而把低频率范围f/V增大的方法。设定为自动时,可使加速时的电压自动提升以补偿起动转矩,使电动机加速顺利进行。如采用手动补偿时,根据负载特性,尤其是负载的起动特性,通过试验可选出较佳曲线。对于变转矩负载,如选择不当会出现低速时的输出电压过高,而浪费电能的现象,甚至还会出现电动机带负载起动时电流大,而转速上不去的现象。03电子热过载保护本功能为保护电动机过热而设置,它是变频器内CPU根据运转电流值和频率计算出电动机的温升,从而进行过热保护。本功能只适用于“一拖一”场合,而在“一拖多”时,则应在各台电动机上加装热继电器。电子热保护设定值(%)=[电动机额定电流(A)/变频器额定输出电流(A)>×。04频率限制即变频器输出频率的上、下限幅值。

④反映电容器组中电容器的内部击穿故障而配置的不平衡电压保护、不平衡电流保护或三相差电压保护。合闸问题电容器组禁止带电重合闸。主要是因电容器放电需要一定时间,当电容器组的开关跳闸后,如果马上重合闸,电容器是来不及放电的,在电容器中就可能残存着与重合闸电压极性相反的电荷,这将使合闸瞬间产生很大的冲击电流,从而造成电容器外壳膨胀、喷油甚至。所以,电容器组再次合闸时,必须在断路器断开3min之后才可进行。因此,电容器不允许装设自动重合闸装置,相反应装设无压释放自动跳闸装置。一些终端变电站往往配置有备用电源自动投切装置,装置动作将故障电源切除,然后经过短暂延时投入备用电源,在这个过程中,如果电容器组有低压自投切功能。


另外要注意,一些高密度输入点的模块对同时接通的输入点数有限制,一般同时接通的输入点不得超过总输入点的%;PLC每个输出点的驱动能力A/点也是有限的,有的PLC其每点输出电流的大小还随所加负载电压的不同而异;一般PLC的允许输出电流随环境温度的升高而有所降低等。在选型时要考虑这些问题。PLC的输出点可分为共点式分组式和隔离式几种接法。隔离式的各组输出点之间可以采用不同的电压种类和电压等级,但这种PLC平均每点的价格较高。


用耐压仪测试电源模块隔离电压的方法如图5所示:如何轻松解决电源模块常见的八大故障解决办法:1)耐压测试时电压逐步上调;2)选取耐压值较高的电源模块;3)焊接电源模块时要选取合适的温度,避免反复焊接,损坏电源模块。电源模块故障问题种类繁多,这里仅针对以上八种常见的应用型故障问题,浅浅而谈,以作抛砖引玉。西门子如何选择合适的电源模块为FPGA供电?现场可编程门阵列(FPGA)是可以包括数千个典型的、可编程逻辑单元.一个由线和可编程开关的矩阵与单独的逻辑单元互连.典型的设计包括每个单元的简单逻辑功能和选择性地关闭互连矩阵中的开关.FPGA主要用于原型IC系统.当设计完成后,设计人员可以将逻辑转换为以更高速度工作的硬连接线IC.为了能正常工作,FPGA必须采用适当的电源管理技术.FPGA有哪些供电要求?FPGA的电源取决于内部电路的要求.FPGA有三个要配置元素:可配置逻辑块(CLB),I/O块(IOB)及其相互连接(见图).CLB提供功能性逻辑元素.IOB提供封装引脚和内部信号线之间的接口.可编程相互连接资源提供布线途径以连接CLB和IOB的输入和至合适的网络.施加于CLB(或核心)的电压被称为VCCINT.VCCO为IOB的供电电压.一些FPGA有被称为VCCAUX的另外一个电压输入.VCCINT的典型电压和电路取值如何?典型的电压为1.2V、1.5V、1.8V、2.5V和3V,电流达12A.CLB数越大,电压越小而电流越高.此外,VCCINT应该单调上升,不允许有下降.VCCO的典型电压和电路取值如何?常见的VCCO电压为1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V,在以前的系统中甚至为5V.电流范围在1~20A之间.VCCAUX有哪些供电要求?典型的辅助电压VCCAUX为3.3V或2.5V.它对FPGA中有严格时间要求的资源进行供电,所以它很容易受电源噪声的影响.除非VCCO不产生过大的噪声,VCCAUX可以与VCCO共用电源层.什么类型的电源资源可以被用于FPGA?FPGA电源要求包括电压输出在1.2V~5V之间,电流输出大几十毫安到几安培之间.三种可能的解决方案为低漏失(LDO)线性整流电路、开关模式变压器以及开关模式电源模组.终的选择取决于系统、成本和面市时间要求.LDO有哪些优势?如果板空间有保,低输出噪声很重要,或者系统要求对输入和瞬态现象快速响应,就应该采用LDO整流器.LDO提供了中低输出电流.输入电容器通常会切断输入至LDO的阻抗和噪声.LDO还要求在输出侧有一个电容器,以处理系统瞬态现象并提供稳定性.双输出LDO还能同时向VCCINT和VCCO供电.开关模式变压器有哪些优势?当设计效率非常关键且系统要求大输出电流时,开关模式变压器具有优势.开关电源提供比LDO更高的效率,但其开关特性使其对噪声更敏感.与LDO不同,开关模式变压器需要使用电感器,而且可能需要变压器进行DC-DC转换.哪些因素决定了FPGA的功耗?CLB的功耗包括如所用CLB逻辑单元数/RAM块数的内部资源、工作时钟频率、切换率,布线和I/O功率.对于I/O功耗,影响因素包括输出类型、工作时钟频率、以及输出的信号翻转个数以及输出负载.实际功耗取决于特定的系统设计FPGA电源的斜升时间(ramp-time)要求有哪些?为确保供电,核心电压VCCINT校正时间必须在一定范围内.对于一些FPGA,过大的校正时间会产生更长时间的供电电流,由于在变压器启通treash-old中VCCINT需要更长时间.开启校正时间长会引起热压力,如果电源向FPGA提供大电流.一些DC/DC变压器提供可调节软启动,允许通过一个外部电容器控制校正时间.校正时间取决于FPGA制造商,典型取值在50~100ms.一定要采用FPGA供电时序?许多FPGA没有时序要求,所以VCCINT、VCCO和VCCAUX可以同时供电.当不可能如此时,上电电流可能略高.对于特定FPGA时序不同.对于一些FPGA,重要的同时施加VCCINT和VCCO.对另一些FPGA,上电可以任意顺序进行.在大多数情况下,习惯于在施加VCCO之前施加VCCINT.FPGA存在涌流问题吗?当VCCINT在06.~0.8V之间时,对一些FPGA系统存在涌流.在这期间,功率变压器连续供电.人们不希望在应用中有迭返(Foldback)电流限制,由于这一部分降低了输出电压以限制电流.但是在电流限制电源解决方案中,一旦电路以超过设定额定电流的电源供电,电源限制了电流达到额定值.西门子如何选择合活的DCDC电源模块?

并且已经对其释放了诊断中断的模块识别出一个错误,它既对进入事件也对外出的事件向CPU发出一个诊断中断的请求。操作系统然后调用OB82。在OB82自己的局部变量里包含有有缺陷模块的逻辑基地址和4个字节的诊断数据。如果你还没有编程OB82,则CPU进入“停止”模式。你可以阻断或延迟诊断中断OB,并通过SFC39-42重新释放它。2)子机架故障OB如果识别出一个DP主站系统或一个分布式I/O站有故障(既对进入事件也对外出的事件),该CPU的操作系统就调用OB86。如果没有编程OB86但出现了这样一个错误,CPU就进入“停止”模式。你可以阻断或延迟OB86并通过SFC39-42重新释放它。3)I/O访问出错OB当访问一个模块的数据时出错。


如果输出信号之间不需要隔离,则应选择前两种输出方式的PLC。对存储容量的选择对用户存储容量只能作粗略的估算。在仅对开关量进行控制的系统中,可以用输入总点数乘字/点+输出总点数乘字/点来估算;计数器/定时器按~字/个估算;有运算处理时按~字/量估算;在有模拟量输入/输出的系统中,可以按每输入/或输出一路模拟量约需~字左右的存储容量来估算;有通信处理时按每个接口字以上的数量粗略估算。后,一般按估算容量的~%留有裕量。


号大全所以调整频率就可以调整电机转速了,但是如果频率变化而电压不变,会要求气隙磁通过大,引起磁路饱和,容易烧电机,所以需要让V/F(电压和频率比值)是一个恒定值,而保持一定的V/F(电压和频率比值),能让电机工作在恒扭矩的工作状态。变频器学习快速上手使用和维修技巧?因为调整变频器参数,在很多场合需要调整V/F比值,来满足不同的负载要求,如果V/F比值设定过大,可能会引起加流,转速不稳等问题。V/F过小,会造成电机无力。有些变频器里边也把这个V/F比值叫做转矩提升,有自动和手动模式选择,自动的,就是自动来改变调整的,而手动的,需要用户自己设定。既然调整频率就是调整转速,所以有些场合不能速度过快的,需要设定一定限制




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